特許

J-GLOBAL ID：200903039218348458

ドライエツチング方法

発明者： 柳田 敏治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-280374
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152255
出願日： 1991年10月02日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：

【要約】【目的】 SiO2 系材料層の高速,高選択,低汚染エッチングを行う。【構成】 ウェハ温度を室温以下に制御し、C3 F8 等の高次フルオロカーボン(FC)化合物とCBr4 等の臭素系化合物の混合ガスを用いてSiO2 層間絶縁膜2をエッチングする。高次FC化合物から大量に生成するCFx + により高速エッチングが進行する。このとき、FC系ポリマーやCBrx 等の反応生成物が冷却されたウェハ表面に吸着するが、SiO2 層間絶縁膜2の表面では膜中から酸素が供給されるので、これらは堆積しない。一方、レジスト・パターン3の表面には上記反応生成物が堆積し、対レジスト選択性を向上させる。対シリコン選択比も同様に向上する。その後、SF6 /O2 混合ガス等によるオーバーエッチングを行えば、反応生成物を容易に除去でき、パーティクル汚染が低減できる。

請求項（抜粋）：

被エッチング基板の温度を室温以下に制御し、一般式Cx Fz (ただしx,zは原子数を示す自然数であり、x≧2,z≦2x+2の条件を満足する。)で表されるフルオロカーボン化合物と臭素系化合物とを含むエッチング・ガスを用いて酸化シリコン系材料層をエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00