半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：曾我道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-228798
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077284
出願日： 1992年08月27日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】半導体装置の大きさを半導体素子の大きさと略同レベルに小型化して実装密度を格段に高めることができ、しかも温度サイクルによる影響を受けず信頼性の高い半導体装置を提供する。【構成】表面に形成されたバンプ状電極11Aを有する半導体素子11と、この半導体素子11のバンプ状電極11Aに対応させて表面に形成された電極12A、この電極12Aの反対側の面に形成された実装用電極12B及びこれら両電極12A、12Bを電気的に接続するように形成された金属配線12Cをそれぞれ有する絶縁テープ12とを備え、上記バンプ状電極11Aと上記電極12Aを電気的に接合して構成されている。

請求項（抜粋）：

表面に形成された第1の電極を有する半導体素子と、この半導体素子の上記第1の電極に対応させて表面に形成された第2の電極、この第2の電極の反対側の面に形成された実装用電極及びこれら両電極を電気的に接続するように形成された配線をそれぞれ有する絶縁テープとを備え、上記第1の電極と上記第2の電極とを電気的に接合してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 , H01L 21/60

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開平1-307236
特開平4-154136
特開平1-282826

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審査官引用 (8件)

特開平1-307236
特開平4-154136
特開平1-282826

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