特許

J-GLOBAL ID：200903039231609180

電磁波吸収体およびその製造方法ならびに電子機器

発明者： 森山 義幸 ,  谷口 直延
出願人/特許権者： 日立金属株式会社 ,  日立金属機工株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-373745
公開番号（公開出願番号）：特開2003-174280
出願日： 2001年12月07日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：

【要約】【課題】 電磁波吸収性能に方向性が無く、広範囲な用途に使用可能な電磁波吸収体およびその製造方法ならびに前記電磁波吸収体を具備する電子機器を提供する。【解決手段】 面方向に電磁波吸収の方向性を有する第1の電磁波吸収層1と第2の電磁波吸収層2が、前記電磁波吸収の方向性が積層方向から見て90度交叉するように積層されて複層電磁波吸収層5を形成する。そして複層電磁波吸収層5の一方の面に電磁波反射層3を積層し、他方の面に表面層4を積層して、可撓性を有する電磁波吸収体6を構成する。

請求項（抜粋）：

複数の電磁波吸収層が積層された電磁波吸収体において、前記各電磁波吸収層は電磁波吸収材が分散され且つ面方向に電磁波吸収の方向性を有するとともに、前記電磁波吸収の方向性の角度をずらして積層されていることを特徴とする電磁波吸収体。

IPC (2件)：

H05K 9/00 ,  H01F 1/00

FI (2件)：

H05K 9/00 M ,  H01F 1/00 C

Fターム (6件)：

5E040CA13 ,  5E321BB25 ,  5E321BB33 ,  5E321BB44 ,  5E321BB53 ,  5E321GG11