不揮発性メモリ装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：和泉良彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-168931
公開番号（公開出願番号）：特開2003-331589
出願日： 1993年03月04日
公開日（公表日）： 2003年11月21日
要約：

【要約】【課題】不揮発性メモリ装置の書換え処理を効率よく低消費電力で高速化する。【構成】複数のセクタ102、104、106、108、110を有するメモリブロック22-1〜22-8と、該メモリブロックと接続され、書き込みデータを保持するバッファメモリ24-1〜24-8を有し、これらと接続されたリードライト回路10は、外部アドレスの入力を受けて書き込みデータを書き込むべき上記セクタを指示し、上記バッファメモリからの書き込みデータの読み出し動作、及び読み出された書き込みデータを上記メモリブロックの該セクタヘの書き換え動作を実施し、複数の上記メモリブロックに対して、複数の上記メモリブロックの1つへ第1の書き換え動作が開始され、該書き換え動作中の該メモリブロックとは異なる上記メモリブロックヘ第2の書き換え動作が開始され、上記第2の書き換え動作は許容される消費電流を超えない限りにおいて実行される構成。

請求項（抜粋）：

各々が複数のセクタを有する複数の不揮発性半導体メモリブロックと、複数の上記不揮発性半導体メモリブロックと接続され、複数の上記不揮発性半導体メモリブロックに書き込まれるべき書き込みデータを保持するバッファメモリと、複数の上記不揮発性半導体メモリブロック、及び上記バッファメモリと接続された制御部とを有し、上記制御部は、外部アドレスの入力を受けて書き込みデータを書き込むべき複数の上記不揮発性半導体メモリブロックの上記セクタを指示し、上記バッファメモリからの書き込みデータの読み出し動作、及び上記バッファメモリから読み出された書き込みデータを上記不揮発性半導体メモリブロックの該セクタヘの書き換え動作を実施し、複数の上記不揮発性半導体メモリブロックに対して、複数の上記不揮発性半導体メモリブロックの1つへ第1の書き換え動作が開始され、該書き換え動作中の該不揮発性半導体メモリブロックとは異なる、複数の上記不揮発性半導体メモリブロックの他の上記不揮発性半導体メモリブロックヘ第2の書き換え動作が開始され、上記第2の書き換え動作は許容される消費電流を超えない限りにおいて実行されることを特徴とする不揮発性メモリ装置。

FI (4件)：

G11C 17/00 601 D , G11C 17/00 601 T , G11C 17/00 611 G , G11C 17/00 612 F

Fターム (4件)：

5B025AD04 , 5B025AD08 , 5B025AE05 , 5B025AE06

引用特許：

出願人引用 (1件)

特開平2-99114号公報

審査官引用 (8件)

特開平3-105795
特開平1-125800
特開平2-226591

全件表示

前のページに戻る