特許
J-GLOBAL ID：200903039233729948
薄膜作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-213608
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055662
出願日： 1991年08月26日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：
【要約】【目的】薄膜内の分極軸の配向方向を制御でき、かつ分極軸の配向方向の反転を実現できる薄膜作製方法を提供する。【構成】基板4への薄膜の形成をイオンビーム蒸着で行ない、電源8によって蒸発源5と基板ホルダ3あるいは基板4との間に印加される電圧(加速電圧)の極性および大きさ、蒸発物質の一部をイオン化するための電子放出源6からの電子線の電流(イオン化電流)を変化させ、基板4上に形成される薄膜中の分極軸の配向方向および配向度を制御する。
請求項（抜粋）：
分極軸を有する薄膜を基体上に形成する薄膜作製方法において、イオンビーム蒸着を用い、該イオンビーム蒸着時のイオン化電流および/または加速電圧を変化させることにより、前記薄膜中の前記分極軸の配向方向および配向度を制御することを特徴とする薄膜作製方法。
IPC (4件)：
H01L 41/24
, C23C 14/08
, C23C 14/32
, H01L 21/203
