特許

J-GLOBAL ID：200903039235311282

半導体装置の製造方法

発明者： 佐藤 誠也 ,  根木 敬子
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 長谷 照一 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-302658
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133815
出願日： 1998年10月23日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：

【要約】【課題】 シリコン基板とガラス蓋との間に密閉空間を有する半導体装置において、簡単な製造工程により密閉空間から残存する酸素を除去して、真空度の高い密閉空間を形成する。【解決手段】 半導体装置は、シリコンからなる基板10とガラス材からなるガラス蓋60との間にほぼ真空な密閉空間Sを備えている。このような半導体装置においては、基板10にガラス蓋60を陽極接合した後、ガラス蓋60の外側からガラス蓋60で覆われた基板10の一部にYAGレーザを照射して同一部を加熱処理すると、同一部は陽極接合の際に発生されて密閉空間S内に残存する酸素と結合して酸化するので、密閉空間Sから残存する酸素が除去されて、真空度の高い密閉空間Sが形成される。

請求項（抜粋）：

シリコン基板にガラス蓋を陽極接合して同シリコン基板と同ガラス蓋との間にほぼ真空な密閉空間を形成する半導体装置の製造方法において、前記陽極接合後に、前記ガラス蓋の外側から前記シリコン基板の一部を加熱処理するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/84 ,  B23K 26/16 ,  G01P 9/04 ,  H01L 21/02 ,  G01C 19/56

FI (5件)：

H01L 29/84 Z ,  B23K 26/16 ,  G01P 9/04 ,  H01L 21/02 B ,  G01C 19/56

Fターム (20件)：

2F105BB15 ,  2F105CC04 ,  2F105CD03 ,  2F105CD05 ,  2F105CD13 ,  4E068AA01 ,  4E068CG00 ,  4E068DA09 ,  4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112CA24 ,  4M112CA26 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA12 ,  4M112DA13 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA06 ,  4M112GA01