特許

J-GLOBAL ID：200903039238524627

太陽電池とその製造方法

発明者： 小笠原 伸好
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-197669
公開番号（公開出願番号）：特開平5-048134
出願日： 1991年08月07日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】【目的】 インタコネクタにより複数個の太陽電池を接続することなしに、単体で任意の出力を得ることができる太陽電池とその製造方法を得る。【構成】 半絶縁性GaAs基板11上に成長したn-GaAs層2の一部を選択的にエッチングして半絶縁性GaAs基板11を露呈させ、その上にp-GaAs層3を成長し、光電変換層12を形成する。p-GaAs層3の一部を選択的にエッチングしてn-GaAs層2と半絶縁性GaAs基板11を露呈させ、任意の光電変換層12間を半絶縁性GaAs基板11上を這わせた配線電極15で接続したことを特徴としている。【効果】 光電変換層の面積と個数を任意に設計することにより、任意の出力を太陽電池単体で供給できる。

請求項（抜粋）：

絶縁性、もしくは半絶縁性の基板と、この基板の第1の面上に選択的に形成された第1導電型半導体結晶層と、この第1導電型半導体結晶層上の一部とその側面及び前記基板の第1の面上の一部に選択的に形成された第2導電型半導体結晶層とからなる光電変換層と、この光電変換層の露呈した第1導電型半導体結晶層の表面とその側面及びこれに続く前記基板の第1の面上及びこれに続く別の光電変換層の第2導電型半導体結晶層の側面とその表面の一部に選択的に連続して形成された電極とを備え、前記基板上の複数個の光電変換層が電極により接続されていることを特徴とする太陽電池。