特許

J-GLOBAL ID：200903039241197793

シリコンウエーハの評価装置及び評価方法

発明者： 大槻 剛
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-219151
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031633
出願日： 2001年07月19日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：

【要約】【課題】 水銀プローブ法により裏面にCVD酸化膜等の絶縁膜を有するウエーハの酸化膜耐圧等の電気特性を評価する際に、裏面処理を行わなくても裏面の絶縁膜の影響を受けることなく、ウエーハの電気特性を正確に評価することができる評価装置及び評価方法を提供する。【解決手段】 水銀プローブ法によるシリコンウエーハの評価装置であって、少なくとも水銀プローブとウエーハ裏面を保持するウエーハチャックと該ウエーハチャックに接続されたコンタクト用リングを具備し、前記コンタクト用リングはシリコンウエーハをウエーハチャックに保持した際に該シリコンウエーハの表面周辺部及び/またはエッジ部と接触する構造を有し、少なくとも前記リングのシリコンウエーハ表面周辺部及び/またはエッジ部との接触部の材質が導電体であることを特徴とするシリコンウエーハの評価装置。

請求項（抜粋）：

水銀プローブ法によるシリコンウエーハの評価装置であって、少なくとも水銀プローブとウエーハ裏面を保持するウエーハチャックと該ウエーハチャックに接続されたコンタクト用リングを具備し、前記コンタクト用リングはシリコンウエーハをウエーハチャックに保持した際に該シリコンウエーハの表面周辺部及び/またはエッジ部と接触する構造を有し、少なくとも前記リングのシリコンウエーハ表面周辺部及び/またはエッジ部との接触部の材質が導電体であることを特徴とするシリコンウエーハの評価装置。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  G01R 1/06 ,  G01R 31/26

FI (3件)：

H01L 21/66 Q ,  G01R 1/06 F ,  G01R 31/26 J

Fターム (15件)：

2G003AA10 ,  2G003AB00 ,  2G003AG03 ,  2G003AG12 ,  2G003AH05 ,  2G011AA07 ,  2G011AC14 ,  2G011AE00 ,  4M106AA01 ,  4M106AA13 ,  4M106BA01 ,  4M106BA14 ,  4M106CA14 ,  4M106DH04 ,  4M106DH60