特許
J-GLOBAL ID：200903039243477955
パワー半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-236167
公開番号（公開出願番号）：特開平10-084078
出願日： 1996年09月06日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：
【要約】【課題】内部絶縁型のパワー半導体装置において底面金属基板と各々の端子間、及び絶縁を必要とする端子間の沿面距離を小さな領域で確保することで小型で薄型の大容量のIGBTモジュールを達成する。【解決手段】小さな領域で沿面距離を確保するために取付けボルト底面が接触するモジュール面に絶縁の溝を設けた。【効果】底面金属基板と各々の端子間、及び絶縁を必要とする端子間の沿面距離を取付けボルト底面が接触するモジュール面に絶縁の溝に設けることで小型化で薄型化が可能になる。
請求項（抜粋）：
底面が金属基板、側面及び上面が有機樹脂で構成され、内部に複数個の半導体素子を搭載し、前記底面の金属基板上とモジュール内部に搭載する半導体素子との間に絶縁基板を配置した内部絶縁型のパワー半導体装置において、モジュール底面金属基板とモジュールから外部電極に配線するいずれの端子間との沿面距離が、モジュールを放熱フィンに実装する取付けボルトの底面が接触するモジュールの面からモジュールの外部電極に配線する端子高さまでの距離とケース側面から底面金属基板と同電位となる部品までの最短距離とモジュールのケース側面から前記端子までの最短距離を加えた長さより長い、あるいは絶縁が必要な端子間の沿面距離が前記端子間の最短距離より長いことを特徴としたパワー半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01B 17/62
H01L 25/04 C
, H01B 17/62
