特許
J-GLOBAL ID：200903039248811969
半導体素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-243879
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097186
出願日： 1992年09月14日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】【目的】 高集積化が可能な安定した半導体素子特に高耐圧集積回路の製造方法を提供する点。【構成】 半導体基板に選択エピタキシャル法によりP- エピタキシャル層をメサ状に形成すると共に、メサ状エピタキシャル層の最上層にマスク層を形成後、露出した半導体基板とメサ状P- エピタキシャル層にSbを含有するシリコン膜をデポする。次の熱処理によりトランジスタのコレクタを設け、更にN- エピタキシャル層を形成する。更にまた薬液を使うメカケミカルポリッシング工程をマスク層に達したら自動的に停止する方式である。従って高集積化が可能な安定した半導体素子特に高耐圧集積回路の製造方法を提供できる。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板に選択的に第1エピキシャル成長層を堆積する工程と,この第1エピキシャル成長層に選択的に形成するマスクのもとで部分的に除去してメサ状の第1エピキシャル成長層部分を設ける工程と,露出する半導体基板部分及び第1エピキシャル成長層部分に逆導電型の領域を形成する工程と,第2エピキシャル成長層を全面に堆積する工程と,前記マスクまで第2エピキシャル成長層をメカノケミカルポリッシングにより平坦な表面を形成する工程と,メサ状の前記半導体基板部分内に埋込む第2エピキシャル成長層に能動または受動素子を形成する工程とから成ることを特徴とする半導体素子の製造方法
IPC (4件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 21/02
, H01L 21/306
