特許

J-GLOBAL ID：200903039250473671

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 田中 智晴 ,  白田 理一郎 ,  桐澤 亮平 ,  有留 誠一 ,  百冨 正樹 ,  田中 義幸
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-278691
公開番号（公開出願番号）：特開平5-006681
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年01月14日
要約：

【要約】【目的】NANDセル型EEPROMの高集積化を図ることを目的とする。【構成】NANDセルを構成するメモリセルM1 〜M4 のビット線BL側のメモリセルM1 のドレインは選択ゲートを介することなく直接ビット線BLに接続され、メモリセルM4 のソースは選択ゲートSを介してソース線に接続される。データ書込みモードにおいて、選択されたワード線に高電位が与えられ、NANDセル内の非選択ワード線に中間電位が与えられ、選択されたビット線にデータに応じて接地電位または電源電位が与えられ、非選択ビット線に電源電位が与えられる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁膜を介して電荷蓄積層と制御ゲートが積層形成された電気的書替え可能な不揮発性半導体メモリセルが隣接するもの同士でソース,ドレイン拡散層を共用する形で直列接続されてNANDセルを構成してマトリクス配列されたセルアレイと、前記NANDセルの一端部のドレイン拡散層が直接接続されたビット線と、前記NANDセルの他端部のソース拡散層が選択ゲートを介して接続されたソース線と、前記NANDセルを構成する各メモリセルの制御ゲートがそれぞれ接続されたワード線と、選択されたワード線に高電位を与え、非選択ワード線に電源電位と前記高電位の間の中間電位を与え、選択されたビット線にデータに応じて“L”レベルまたは“H”レベルを与え、非選択ビット線に電源電位を与えるデータ書込み手段と、を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 16/06 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2件)：

G11C 17/00 309 A ,  H01L 29/78 371