特許

J-GLOBAL ID：200903039251369886

SOIウエハの製造方法

発明者： ガブリエル・バルロッシ ,  フラビオ・フランセスコ・ヴィルラ
出願人/特許権者： エスティーマイクロエレクトロニクス エス.アール.エル
代理人 (1件)： 筒井 大和 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-134462
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031440
出願日： 1999年05月14日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】 従来技術の固有の利点を備えしかも競争できる価格及び現在の規格すなわち完全単結晶基板でSOIウエハを製造する方法を提供する。【解決手段】 本方法は、単結晶基板(2)上にドーピングした領域(18)を形成する工程と、エピタキシャル層を成長させる工程と、ドーピングした領域(18)に関してエピタキシャル層に溝(25)を形成する工程と、電子化学電解槽においてドーピングした領域(18)を陽極酸化して多孔性シリコン領域を形成する工程と、多孔性シリコン領域を酸化処理する工程と、酸化処理した多孔性シリコン領域を除去して埋め込みエアギャップを形成する工程と、ウエハ(15)を熱的に酸化処理して埋め込みエアギャップ及び溝(25)自体が完全に充填されるまで埋め込みエアギャップ及び溝(25)の壁から酸化物領域を成長させる工程とを備えている。

請求項（抜粋）：

表面(17)を備えた単結晶半導体材料のウエハ(15)の内に、埋め込みエアギャップ(27)及び前記エアギャップと前記表面(17)との間にのびる溝(25)を形成する工程と、前記埋め込みエアギャップ及び前記溝(25)内に酸化物領域(30)を形成する工程とを備えることを特徴とするSOIウエハの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 27/12 B ,  H01L 21/302 J