特許

J-GLOBAL ID：200903039251444306

シード層堆積

発明者： ジェームズ・ジー・シェルナット ,  デービッド・メリックス ,  オレウ・ビー・ドゥトゥケウイッチ ,  チャールズ・アール・シプレイ
出願人/特許権者： シップレーカンパニー エル エル シー
代理人 (1件)： 千田 稔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-325754
公開番号（公開出願番号）：特開2002-275639
出願日： 2001年10月24日
公開日（公表日）： 2002年09月25日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 導電層を有する基体上に銅シード層を堆積させる方法。【解決手段】 基体を無電解銅メッキ浴と接触させ、その上にPVDにより、窒化チタンバリア層を形成する。次いで、これをカソードにし、電圧を60秒間かけ所定の電流密度にて、銅シード層を障害物質上に約5nm〜100nmの厚さを有する銅シード層を堆積させる。このような方法は小さな開口部、好ましくは非常に小さな開口部を有する基体上に、銅シード層を堆積させるのに特に適している。

請求項（抜粋）：

導電層および1μm以下の開口部を有する有する基体を無電解銅メッキ浴と接触させる段階;導電層上に銅のメッキが開始される時間、基体に低電流密度を付す段階;電流を停止する段階;および無電解メッキを継続させて銅シード層を提供する段階を含むシード層を堆積させる方法。

IPC (4件)：

C23C 18/40 ,  C23C 18/16 ,  C23C 18/18 ,  C23C 28/00

FI (4件)：

C23C 18/40 ,  C23C 18/16 B ,  C23C 18/18 ,  C23C 28/00 B

Fターム (21件)：

4K022AA05 ,  4K022BA08 ,  4K022BA31 ,  4K022BA36 ,  4K022CA03 ,  4K022CA11 ,  4K022DA03 ,  4K022DB04 ,  4K022DB06 ,  4K044AA13 ,  4K044BA02 ,  4K044BA06 ,  4K044BA18 ,  4K044BA19 ,  4K044BB03 ,  4K044BC14 ,  4K044CA04 ,  4K044CA13 ,  4K044CA14 ,  4K044CA15 ,  4K044CA18