特許
J-GLOBAL ID：200903039260588353
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-334599
公開番号（公開出願番号）：特開平6-181255
出願日： 1992年12月15日
公開日（公表日）： 1994年06月28日
要約：
【要約】【目的】 トレンチ分離用溝や配線接続用穴を充填材で埋込む半導体装置において、充填材に空洞が発生することがないとともに充填材の形成のためにエッチバック工程を必要としない半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 シリコン酸化膜3によって囲まれた分離用溝700の側壁部分にポリシリコンからなるサイドウォール膜4を設けて、そのサイドウォール膜4上にポリシリコンからなる充填材5を選択成長させて分離用溝700を埋込むように構成する。
請求項（抜粋）：
少なくともその側表面が絶縁層によって形成された凹部を有する半導体基板と、前記凹部の側表面の前記絶縁層上に形成されたサイドウォール膜と、前記サイドウォール膜上に選択的に成長させることにより前記サイドウォール膜によって囲まれた領域に埋込まれた充填材とを備えた、半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/76
, H01L 21/28 301
, H01L 21/90
, H01L 27/108
