特許
J-GLOBAL ID：200903039261959584
電界効果型トランジスタとその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-288366
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129635
出願日： 1991年11月05日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：
【要約】【目的】本発明の目的は、Geをチャネルとするn型の電界効果型トランジスタにおいて、チャネルの電子移動度を高めた、高利得の電界効果型トランジスタとその製造方法を提供することにある。【構成】図1に模式的に示した本発明のn型電界効果型トランジスタは、Ge(110)又はGe(111)基板1上に歪み緩和したGe/Snバッファー層2、Si<SB>1-x</SB>Ge<SB>x</SB>層3を形成し、バッファー層に格子整合して引っ張り歪みを受けたGeチャネル層4及び変調ドープn-Si<SB>1-x</SB>Ge<SB>x</SB>層5、Si層6と形成し、Si酸化膜7、ソース,ドレイン領域8,9及びゲート電極11、ソース,ドレイン電極10,12を形成することにより構成される。【効果】(110)面に平行な方向に引っ張り歪みを受けたGeの<1-10>方向をチャネル方向とするか、あるいは、(111)面に平行な方向に引っ張り歪みを受けたGeをチャネルとすることによって、移動度をバルクよりも高めることができる。
請求項（抜粋）：
変調ドープn-Si<SB>1-x</SB>Ge<SB>x</SB>/Ge界面のGe側をチャネルとする電界効果型トランジスタにおいて、(110)面に平行な方向に引っ張り歪みを受けた上記Geの<1-10>方向をチャネル方向とするか、もしくは、(111)面に平行な方向に引っ張り歪みを受けた上記Geをチャネルとすることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
IPC (2件)：
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