特許

J-GLOBAL ID：200903039267373174

変位素子及びそれを用いたプローブ、同プローブを有する機器

発明者： 川崎 岳彦 ,  鈴木 義勇 ,  山本 敬介
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 豊田 善雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-203709
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132579
出願日： 1993年07月27日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：

【要約】【目的】 走査型トンネル顕微鏡、情報処理装置等に用いられる集積化可能な変位素子及びカンチレバー型プローブを提供する。【構成】 Si単結晶基板1上に下部電極2,第1の圧電体膜3,中電極4,第2の圧電体膜5,上部電極6を積層した変位素子の、上記各電極材料にPt又はPdを用いる。【効果】 上記電極材料で形成された電極膜は、圧電体膜形成後の内部応力が非常に小さいため、圧電体膜と電極膜との界面のはがれが無く、集積化可能な変位素子を歩留良く提供することができ、この変位素子にチップ7を設けたカンチレバー型プローブを用いた走査型トンネル顕微鏡並びに情報処理装置は、信頼性、安定性に優れた装置となる。

請求項（抜粋）：

圧電体膜の上下面に、前記膜を逆圧電効果により変位させるための電極を設けたカンチレバー型変位素子であって、前記電極を、Pt又はPdを以て形成したことを特徴とするカンチレバー型変位素子。

IPC (5件)：

H01L 41/09 ,  G01B 21/30 ,  G11B 9/00 ,  H01J 37/28 ,  H01L 41/18

FI (3件)：

H01L 41/08 U ,  H01L 41/18 101 Z ,  H01L 41/18 101 A