特許

J-GLOBAL ID：200903039273190545

半導体装置の製造方法

発明者： 菅原 重一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-029667
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240390
出願日： 1994年02月28日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：

【要約】【目的】 シリコン膜の堆積工程を含む半導体装置の製造方法に関し、デバイスを完成した後の抵抗率が十分低いシリコン膜を有する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 7×1020〜2×1021atoms/cm3 の燐を添加してシリコン膜を下地上に堆積する工程と、その後、前記シリコン膜を加熱する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

7×1020〜2×1021atoms/cm3 の燐を添加してシリコン膜を下地上に堆積する工程と、その後、前記シリコン膜を加熱する工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 491 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/94 A ,  H01L 27/04 P ,  H01L 29/78 301 N