特許

J-GLOBAL ID：200903039276276769

半導体装置の製造方法

発明者： 竹田 喜彦 ,  町田 智弘 ,  南森 孝幸
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-071596
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275723
出願日： 1992年03月27日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置におけるpn接合を気相成長法で形成する際の高温処理時間を短縮することによって、素子特性の優れた半導体装置を提供する。【構成】 第1導電型半導体基板上に第2導電型の不純物を含む半導体層を形成する際に、雰囲気ガス中の第2導電型の不純物を含むガス量が少ないときには基板温度を相対的に低く調整し、前記のガス量の増加に応じて基板温度を上昇させる。すなわち、第2導電型の不純物を含むガス量の変化に応じて半導体基板の温度を変化させることによって第2導電型の半導体層を形成する。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体基板上に第2導電型の半導体層を形成する半導体装置の製造方法において、気相成長法において、雰囲気ガス中の前記第2導電型の不純物を含むガス量の変化に応じて前記半導体基板の温度を変化させることによって前記半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-184323
  
• 特開昭63-040383