半導体焼付露光装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東哲也 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-236911
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055105
出願日： 1991年08月26日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】複数のウエハのそれぞれについてウエハをステップ移動させながらそのウエハ上の複数のショットに露光を行なう半導体焼付露光装置において、露光処理速度および歩留りの少なくとも一方を他方を損なうことなく向上する。【構成】フォーカス位置計測装置(LD,PD)を有する半導体焼付露光装置に対して、各ショットおよび各ウエハのフォーカス位置計測値を記憶する手段(CB)と、この記憶手段による記憶値に基づいて、その後のフォーカス位置の計測値が正しくなるような補正値を統計処理により得る演算手段(CB)と、その補正値に基づいてフォーカス位置を制御する制御手段(CB)を設ける。

請求項（抜粋）：

複数のウエハのそれぞれについてウエハをステップ移動させながらそのウエハ上の複数のショットに露光を行なう半導体焼付露光装置において、先行して処理された単数または複数のウエハにおけるフォーカス計測値を各ショットごとに記憶する手段と、この記憶手段による記憶値を統計処理する演算手段と、統計処理により得られた値に基づいてフォーカス位置を制御する制御手段とを具備することを特徴とする半導体焼付露光装置。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 521 , G03F 7/207

FI (2件)：

H01L 21/30 301 G , H01L 21/30 311 M

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