特許
J-GLOBAL ID：200903039279718274
CCD撮像装置とその駆動方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-230568
公開番号（公開出願番号）：特開平6-078224
出願日： 1992年08月28日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】【目的】 多数の画素を行列状に配置し、画像信号を電荷結合デバイスCCDで転送するCCD撮像装置に関し、電荷転送路に留る時間が変化しても、一定な黒レベルを維持することのできるCCD撮像装置を提供することを目的とする。【構成】 電荷信号を転送するための複数の垂直電荷転送路と、複数の垂直電荷転送路から転送された電荷信号をまとめて出力するための水平電荷転送路と、それぞれが前記垂直電荷転送路に結合して配置され、画像信号を撮像するためのエリア部のホトダイオードと、エリア部のホトダイオードの下方(水平電荷転送路側)、またはエリア部の上下で、それぞれが前記垂直電荷転送路に結合して配置され、遮光されているが、エリア部のホトダイオードと同等の静電特性を有するOB部のホトダイオードとを含む撮像チップと、前記OB部のホトダイオードからの信号に基づき、エリア部における画像情報の暗電流成分を推定演算する回路とを有する。
請求項（抜粋）：
電荷信号を転送するための複数の垂直電荷転送路(VCCD)と、複数の垂直電荷転送路から転送された電荷信号をまとめて出力するための水平電荷転送路(HCCD)と、それぞれが前記垂直電荷転送路に結合して配置され、画像信号を撮像するためのエリア部のホトダイオード(PD)と、エリア部のホトダイオードと水平電荷転送路との間で、それぞれが前記垂直電荷転送路に結合して配置され、遮光されているが、エリア部のホトダイオードと同等の静電特性を有する下OB部のホトダイオードとを含む撮像チップと、前記下OB部のホトダイオードからの信号に基づき、エリア部における画像情報の暗電流成分を推定演算する回路(11)とを有するCCD撮像装置。
IPC (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
