特許

J-GLOBAL ID：200903039286933326

シリコンウェーハの製造方法

発明者： 白井 宏 ,  吉川 淳 ,  小川 洋司 ,  鹿島一日児 ,  大久保一也
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 田辺 徹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-049983
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235534
出願日： 1994年02月24日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：

【要約】【目的】 水素含有ガス雰囲気中で熱処理をする事によって生じるウェーハ表面の微小なエッチング効果を積極的に利用し、更に特定範囲の表面状態を有するシリコンウェーハに適用することによってそのエッチング効果が効果的にウェーハ表面の状態を改善すること。【構成】 表面粗さRaが0.70〜1.00nmであるシリコンウェーハを、水素ガス雰囲気中で1200°C以上の温度で30分間以上4時間以内熱処理を施すことによって、表面粗さRaが0.60nm未満であるシリコンウェーハを製造する。表面粗さRqが0.80〜1.10nmであるシリコンウェーハを、水素ガス雰囲気中で1200°C以上の温度で30分間以上4時間以内熱処理を施すことによって、表面粗さRqが0.75nm未満であるシリコンウェーハを製造する。表面粗さRtが4.50〜7.00nmであるシリコンウェーハを、水素ガス雰囲気中で1200°C以上の温度で30分間以上4時間以内熱処理を施すことによって、表面粗さRtが4.00nm未満であるシリコンウェーハを製造する。

請求項（抜粋）：

表面粗さRaが0.70〜1.00nmであるシリコンウェーハを、水素ガス雰囲気中で1200°C以上の温度で30分間以上4時間以内熱処理を施すことによって、表面粗さRaが0.60nm未満であるシリコンウェーハを製造することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 321