高純度カーボンブラック

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福田保夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-303160
公開番号（公開出願番号）：特開2002-105355
出願日： 2000年10月03日
公開日（公表日）： 2002年04月10日
要約：

【要約】【課題】金属不純物による汚染を嫌う半導体関連分野、例えばICやLSIなどの半導体デバイス製造工程中のフォトレジストプロセスにおける反射防止膜の形成などに好適な高純度カーボンブラックを提供する。【解決手段】縦型円筒状反応管の下部スクロール部からフィルターを介して送入した空気により、反応管下部から中心軸方向に気体状で導入した原料炭化水素流の表層部を燃焼するとともに、外熱式ヒーターにより加熱された反応帯域において原料炭化水素を熱分解して得られたカーボンブラックであって、灰分が5ppm 以下、各金属元素含有量が200ppb 以下であることを特徴とする高純度カーボンブラック。

請求項（抜粋）：

縦型円筒状反応管の下部スクロール部からフィルターを介して送入した空気により、反応管下部から中心軸方向に気体状で導入した原料炭化水素流の表層部を燃焼するとともに、外熱式ヒータにより加熱された反応帯域において原料炭化水素を熱分解して得られたカーボンブラックであって、灰分が5ppm 以下、各金属元素含有量が200ppb 以下であることを特徴とする高純度カーボンブラック。

Fターム (5件)：

4J037BB02 , 4J037BB17 , 4J037BB19 , 4J037BB20 , 4J037DD27

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