特許
J-GLOBAL ID：200903039293497280
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-104686
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303294
出願日： 1997年04月22日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：
【要約】【課題】 配線膜上にビアコンタクト孔を形成する際に、ミスアライメントが発生したとしても下地の膜へのコンタクト孔の突き抜けを防止する。【解決手段】 層間絶縁膜1上に下層の配線膜2を形成した後に、該配線膜2の側壁部にプラズマTEOS膜から成るサイドウォールスペーサ膜5を形成する。次に、前記基板全面にフッ素添加TEOS膜6及びプラズマTEOS膜7から成る層間絶縁膜を形成した後に、前記配線膜2上の層間絶縁膜を選択的にエッチングしてビアコンタクト孔を形成する。そして、前記コンタクト孔内を含む基板全面にバリアメタル膜9を介してタングステン膜を形成した後に、該タングステン膜をエッチバックして前記コンタクト孔内にタングステンプラグ10を埋設し、該タングステンプラグ10上に上層の配線膜を形成するものである。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成した下層の配線膜上に層間絶縁膜を介してコンタクト孔を形成し、該コンタクト孔内にタングステンプラグを埋設した後に、該タングステンプラグ上に上層の配線膜を形成するボーダーレスコンタクト構造から成る半導体装置の製造方法において、前記半導体基板上に形成した絶縁膜上に下層の配線膜を形成する工程と、前記配線膜を被覆するように全面にプラズマCVD法によりシリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜から成る絶縁膜を形成した後に該絶縁膜を異方性エッチングして該配線膜の側壁部にサイドウォールスペーサ膜を形成する工程と、前記基板全面にプラズマCVD法により不純物を含有したシリコン酸化膜から成る層間絶縁膜を形成する工程と、前記配線膜上の層間絶縁膜を選択的にエッチングしてコンタクト孔を形成する工程と、前記コンタクト孔内を含む基板全面にタングステン膜を形成した後に該タングステン膜をエッチバックして前記コンタクト孔内にタングステンプラグを埋設する工程と、前記タングステンプラグ上に上層の配線膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/3065
H01L 21/90 A
, H01L 21/302 L
