特許

J-GLOBAL ID：200903039298153296

半導体装置の製造方法

発明者： 高橋 功 ,  小林 弘之 ,  龍田 次郎 ,  冨澤 憲治 ,  新行内 隆之
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-051786
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263384
出願日： 1994年03月23日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】化学機械研磨の後処理としてアルカリ処理を施すことによりウェーハの重金属汚染やパーティクルの発生を防止する。【構成】半導体ウェーハに化学機械研磨を施したのち、アルカリ薬液を用いて洗浄を行う。アルカリ薬液はアンモニア水と過酸化水素水とを混合した水溶液であり、組成比がアンモニア水:過酸化水素水:水=0.25:1:5、処理温度が80°C、処理時間が10分である。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハに化学機械研磨を施したのち、アルカリ薬液を用いて洗浄を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 341