特許
J-GLOBAL ID：200903039300191966
混成集積回路の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-268739
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120418
出願日： 1992年10月07日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：
【要約】【目的】ベアチップICを搭載をする混成集積回路で、ICの専有面積を最大限に小さくし、高密度実装を実現させる。【構成】絶縁基板1上に、第1、第2の半導体ベアチップ用の樹脂流れダム4,5を中心を同じとして、二重枠の形をとらせた基板構成で第1,第2のICベアチップを段重ねで組み立てる方法である。まず第1のチップを組立て第1の樹脂枠の中に保護コーティング材を充填し、次に第2のチップを組立て第2の樹脂枠の中に保護コーティング材を充填する。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に、第1の半導体ベアチップを搭載するためのチップ搭載部、チップをボンディング線で基板と接続する基板側のボンディングランド、さらにその周囲に前記第1の半導体ベアチップ搭載部を中心にして第2の半導体ベアチップとボンディング線で基板と接続する基板側の第2のボンディングランドを設け、その基板に第1の半導体ベアチップをワイヤボンディング法で接続したのち保護コーティングし、さらに前記第1の半導体ベアチップの上に第2の半導体ベアチップを搭載し、同様に組立、保護コーティングすることを特徴とする混成集積回路の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
, H05K 1/18
, H05K 3/28
