特許
J-GLOBAL ID：200903039300977439
TFTアレイのエッチング加工方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-029360
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226654
出願日： 1992年02月17日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：
【要約】【目的】この発明は、半導体膜と他の絶縁膜との十分なエッチング選択比が得られ、成膜工程,エッチング装置に固有と考えられた局部的なむらが解消され、画質が大幅に改良出来るTFTアレイのエッチング加工方法を提供することを目的とする。【構成】この発明のTFTアレイのエッチング加工方法は、チャンバ-内で、プラズマ中で弗素イオン又は弗素ラジカルを形成するガスとしてSF6 を使用し、更に他のガスとして組成の中に塩素又は臭素を含むガスを少なくとも有する混合ガスのプラズマを用いて硅素薄膜と窒化硅素薄膜との選択エッチングを行なう場合、上記SF6 の単位時間当たりの流量を上記チャンバ-の体積の0.0017以下とし、且つ全ガス圧力を15Pa以上とすることにより、上記の目的を達成することが出来る。
請求項（抜粋）：
チャンバ-内で、プラズマ中で弗素イオン又は弗素ラジカルを形成するガスとしてSF6 を使用し、更に他のガスとして組成の中に塩素又は臭素を含むガスを少なくとも有する混合ガスのプラズマを用いて硅素薄膜と窒化硅素薄膜との選択エッチングを行なうTFTアレイのエッチング加工方法において、上記SF6 の単位時間当たりの流量を上記チャンバ-の体積の0.0017以下とし、且つ全ガス圧力を15Pa以上とすることを特徴とするTFTアレイのエッチング加工方法。
IPC (3件)：
H01L 29/784
, G02F 1/136 500
, H01L 21/302
