特許
J-GLOBAL ID：200903039302242681

配線基板及びその製造方法

発明者：
佐藤 和久

佐藤 和久 について

, 
橋本 浩幸

橋本 浩幸 について


出願人/特許権者：
日本特殊陶業株式会社

日本特殊陶業株式会社 について


代理人 (1件)： 加藤 和久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-032181
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214430
出願日： 1998年01月28日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：
【要約】【課題】 電子部品との接続はワイヤボンディングで、マザーボードとの接続はハンダ付けによるICパッケージで、その電気的接続の信頼性を高める。【解決手段】 ボンディングパッド4を構成するメタライズ層4aのニッケルメッキ層4b,4cの上の金メッキ層4dの厚さを1.2〜3.5μmとし、外部用接続端子12を構成するメタライズ層12aのニッケルメッキ層12bの上の金メッキ層12dの厚さを0.01〜1μmとした。ボンディングパッド4は厚金メッキであるからボンディングに支障ないし、外部用接続端子12は薄金メッキであるからハンダ中へのAu-Snなどの金属間化合物の生成も少ないのでその接合強度を低下させない。
請求項（抜粋）：
電子部品の接続端子と接続されるボンディングパッドと、マザーボードの接続端子とハンダ付けされる外部用接続端子とを有し、前記ボンディングパッド及び前記外部用接続端子を構成する各メタライズ層にニッケルメッキ層及び金メッキ層が順次形成されてなる配線基板において、前記ボンディングパッドを構成するメタライズ層に形成されたニッケルメッキ層の上の金メッキ層が厚さ1.2〜3.5μmとされ、前記外部用接続端子を構成するメタライズ層に形成されたニッケルメッキ層の上の金メッキ層が厚さ0.01〜1μmとされていることを特徴とする配線基板。
IPC (3件)：
H01L 21/60 301 ,  H05K 1/11 ,  H05K 3/24
FI (3件)：
H01L 21/60 301 N ,  H05K 1/11 D ,  H05K 3/24 D
引用特許：
審査官引用 (4件)
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