特許

J-GLOBAL ID：200903039302554071

プラズマCVD装置およびシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法

発明者： 山本 憲治 ,  多和田 裕子
出願人/特許権者： 鐘淵化学工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-081619
公開番号（公開出願番号）：特開2000-273643
出願日： 1999年03月25日
公開日（公表日）： 2000年10月03日
要約：

【要約】【課題】 被処理基板に膜厚および膜質が均一な薄膜、特に結晶質シリコン薄膜を高速度で成膜することが可能なプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】 排気部材を有する反応容器と、前記反応容器内に配置され、被処理基板を保持する第1電極と、前記反応容器内に前記第1電極に対向して配置された中空状の第2電極と、前記第2電極内に反応ガスを導入するためのガス導入手段と、前記第2電極に電力を印加するための電源とを具備し、前記中空状の第2電極は、前記第1電極に対向する部分に多数の孔を開口した複数のガス吹き出し板が互いに所望の間隔をあけて配置され、かつ前記各ガス吹き出し板は、大きな孔を有するガス吹き出し板ほど前記第1電極側に位置するとともに、最も大きな孔を有するガス吹き出し板を基準にしてその孔が他のガス吹き出し板の孔と合致するように配列されることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

排気部材を有する反応容器と、前記反応容器内に配置され、被処理基板を保持する第1電極と、前記反応容器内に前記第1電極に対向して配置された中空状の第2電極と、前記第2電極内に反応ガスを導入するためのガス導入手段と、前記第2電極に電力を印加するための電源とを具備し、前記中空状の第2電極は、前記第1電極に対向する部分に多数の孔を開口した複数のガス吹き出し板が互いに所望の間隔をあけて配置され、かつ前記各ガス吹き出し板は、大きな孔を有するガス吹き出し板ほど前記第1電極側に位置するとともに、最も大きな孔を有するガス吹き出し板を基準にしてその孔が他のガス吹き出し板の孔と合致するように配列されることを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (4件)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04

FI (5件)：

C23C 16/50 B ,  C23C 16/44 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 A ,  H01L 31/04 X

Fターム (55件)：

4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BB03 ,  4K030BB04 ,  4K030BB12 ,  4K030CA06 ,  4K030FA03 ,  4K030JA01 ,  4K030JA03 ,  4K030JA09 ,  4K030JA16 ,  4K030KA05 ,  4K030KA17 ,  4K030KA18 ,  4K030LA04 ,  4K030LA16 ,  5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AF07 ,  5F045AF10 ,  5F045BB02 ,  5F045BB08 ,  5F045BB09 ,  5F045BB15 ,  5F045CA13 ,  5F045DA52 ,  5F045DP04 ,  5F045EE13 ,  5F045EF05 ,  5F045EF07 ,  5F045EH05 ,  5F045EH14 ,  5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051CA02 ,  5F051CA03 ,  5F051CA04 ,  5F051CA15 ,  5F051CB12 ,  5F051DA04 ,  5F051FA04 ,  5F051FA14