石英ガラスるつぼおよびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：穂上照忠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-276053
公開番号（公開出願番号）：特開2000-103694
出願日： 1998年09月29日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：

【要約】【課題】シリコン単結晶の育成に使用される、融液中への結晶化したクリストバライトの細片混入を抑止し単結晶の無転位引き上げを確実にする石英るつぼおよびその製造方法の提供。【解決手段】(1)内表面からの深さが200μmまでの部位の石英ガラスに、波長150〜400nmの範囲で特定波長の紫外線吸収がないか、または酸素欠損型欠陥による波長163nm、または波長245nmの紫外線の吸収がないシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼ。(2)石英の加熱溶融中、内面から酸素を吹き付けつつ、溶融形成する上記(1)の石英ガラスるつぼの製造方法。(3)るつぼを形成後、大気ないしは大気以上の酸素を含む雰囲気中にて、1000〜1200°Cの温度で焼鈍する上記(1)の石英ガラスるつぼの製造方法。

請求項（抜粋）：

内表面からの深さが200μmまでの部位の石英ガラスに、波長150〜400nmの範囲において特定波長の紫外線吸収がないことを特徴とするシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼ。

IPC (3件)：

C30B 15/10 , C03B 20/00 , C30B 29/06 502

FI (3件)：

C30B 15/10 , C03B 20/00 H , C30B 29/06 502 B

Fターム (6件)：

4G014AH00 , 4G077AA02 , 4G077BA04 , 4G077CF00 , 4G077EG02 , 4G077HA12

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