特許
J-GLOBAL ID：200903039307271540
バンプ形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-044978
公開番号（公開出願番号）：特開平11-243105
出願日： 1998年02月26日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：
【要約】【課題】 ウェハ上に効率良くバンプ形成材料を搭載することができるバンプ形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 ウェハ9に形成された複数個の半導体素子の外部接続用電極上にバンプを形成するバンプ形成方法において、複数個の半導体素子分の導電性ボール11を吸着保持可能な第1の吸着ツール12Aと、これとは異なる数の半導体素子分のバンプ形成材料を吸着保持可能な第2の吸着ツール12Bと、によってウェハ9に形成された複数個の半導体素子に導電性ボール11を搭載または圧着する。これにより、複数の半導体素子をまとまりのよい一括りのブロックとして扱うことができ、ウェハ9に導電性ボール11を効率良く搭載することができる。
請求項（抜粋）：
ウェハに形成された複数個の半導体素子の外部接続用電極上に金属の突出電極であるバンプを形成するバンプ形成方法であって、少くとも、複数個の半導体素子分のバンプ形成材料を吸着保持可能な第1の吸着ツールと、第1の吸着ツールとは異なる数の半導体素子分のバンプ形成材料を吸着保持可能な第2の吸着ツールとによって前記ウェハに形成された複数個の半導体素子の外部接続用電極にバンプ形成材料を搭載または圧着することを特徴とするバンプ形成方法。
FI (2件)：
H01L 21/92 604 A
, H01L 21/92 604 Z
