特許
J-GLOBAL ID:200903039307583541

多層アルミナ質配線基板及び半導体素子収納用パッケージ

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-230994
公開番号(公開出願番号):特開平6-085108
出願日: 1992年08月31日
公開日(公表日): 1994年03月25日
要約:
【要約】【構成】アルミナを主成分とする絶縁層13間に、両側に一対の電極層15,23,25,29が形成され、かつ、アルミナ中に高誘電率付与剤を含有する高誘電体層11,27を介装してなり、電極層15,23,25,29が、高誘電率付与剤と同一材料を主成分とするものである。また、電極層15,23,25,29が、高誘電率付与剤と異なる材料を主成分とする場合には、高誘電体層11,27の厚みを30μm以上とする。【効果】電電極間の絶縁抵抗の低下を阻止することができ、高誘電率を保持することができる。
請求項(抜粋):
アルミナを主成分とする絶縁層間に、両側にW或いはMoからなる一対の電極層が形成され、かつ、アルミナ中にW或いはMoからなる高誘電率付与剤を含有させた高誘電体層を介装してなる多層アルミナ質配線基板において、前記電極層が、前記高誘電率付与剤と同一材料を主成分とすることを特徴とする多層アルミナ質配線基板。
IPC (3件):
H01L 23/15 ,  H01L 23/12 ,  H05K 3/46
FI (2件):
H01L 23/14 C ,  H01L 23/12 N
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 特開平3-087091
  • 特開昭59-108397

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