特許

J-GLOBAL ID：200903039308057444

デバイスの製造方法及びレジスト材料

発明者： フランシス エム、ハウリハン ,  オムカラム ナラマス ,  チェンリン ヤン
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-040127
公開番号（公開出願番号）：特開2001-255646
出願日： 2001年02月16日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：

【要約】【課題】 デバイス製造方法及び該方法で使用されるレジスト材料を提供する。【解決手段】 レジスト材料は溶解抑制剤及び光酸生成剤(PAG)と併用されるポリマーを含有する。溶解抑制剤は2個以上の酸不安定性基と1個の第3の置換基(酸不安定性基、炭素原子18個以下の飽和直鎖、分岐鎖、環式又は脂環式炭化水素基、オキシアルキル基、硫黄含有基、ヒドロキシ基又はシアノ基を有する親水性基)を有する脂肪族カルボン酸誘導体である。所望により、ポリマーは塩基水溶液へのポリマーの溶解度を大幅に低下させる酸不安定性基を有する。レジスト材料のフィルムが基板上に形成され、描画輻射線に暴露される。輻射線は、レジスト材料の非露光部分よりも露光レジスト材料を塩基水溶液に高溶解性にする化学変化をレジスト材料内に誘発する。レジスト材料内に導入された画像は常用の方法により現像され、次いで、下部基板に転写される。

請求項（抜粋）：

(a)基板上にエネルギー感応性レジスト材料の層を形成するステップと、ここで、前記エネルギー感応性レジスト材料は光酸生成剤、ポリマー及び溶解抑制剤からなり、前記溶解抑制剤は、少なくとも2個のカルボン酸基を有し、かつ、下記の構造式、(前記式中、Rは酸不安定性基であり、Yは、直鎖または分枝鎖アルキル、環式アルキル及び脂環式アルキル基からなる群から選択され、炭素原子の個数が18個以下である脂肪族基であり、R’は、酸不安定性基を有する親水性基、アルキル置換基、アルコキシ置換基、スルホン置換基、ヒドロキシ置換基及びシアノ置換基からなる群から選択され、R’は18個以下の炭素原子を有する)を有する脂肪族カルボン酸誘導体からなる、(b)紫外線、X線、及び電子ビーム線からなる群から選択されるパターン付き輻射線に対して前記エネルギー感応性レジスト材料の層を暴露し、それにより、パターン画像を前記レジスト材料中に導入するステップと、(c)前記画像をパターンに現像するステップと、(d)前記パターンを下部の基板に転写するステップとからなる、ことを特徴とするデバイスの製造方法。

IPC (3件)：

G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R