特許

J-GLOBAL ID：200903039309842935

光構造化方法

発明者： ミヒアエル ゼバルト ,  ユルゲン ベツク ,  ライナー ロイシユナー ,  レカイ ゼチ ,  ジークフリート ビルクレ ,  ヘルムート アーネ ,  エバーハルト キユーン
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-353044
公開番号（公開出願番号）：特開平5-011456
出願日： 1991年12月18日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】 二層法で寸法通りの構造物転移をまた解像限度を越える構造物の製造を可能とし、その際高い透過性、サブミクロン範囲においてもなお高い解像力及び高感度がもたらされる構造物を製造する。【構成】 サブミクロン範囲で構造物を製造するに当たり、基板上に、第1又は第2アミンと反応する官能基及びNブロックされたイミド基を有するポリマー成分と、露光時に酸を遊離する光開始剤と、適当な溶剤 とからなるフォトレジスト層を施し、フォトレジスト層を乾燥し、フォトレジスト層を画像に応じて露光し、露光したフォトレジスト層を熱処理し、こうして処理したフォトレジスト層を水性アルカリ又は有機現像剤で現像してフォトレジスト構造物とし、フォトレジスト構造物を、第1又は第2アミンを含む化学試薬で処理し、その際現像時に一定の暗損傷を20〜100nmの範囲で起こさせる。

請求項（抜粋）：

サブミクロン範囲の構造物を製造するに当たり、a)基板上に、第1又は第2アミンと反応することのできる官能基及びNブロックされたイミド基を有するポリマー成分と、露光時に酸を遊離する光開始剤と、適当な溶剤とからなるフォトレジスト層を施し、b)フォトレジスト層を乾燥し、c)フォトレジスト層を画像に応じて露光し、d)露光したフォトレジスト層を熱処理し、e)こうして処理したフォトレジスト層を水性アルカリ又は有機現像剤で現像してフォトレジスト構造物とし、f)レジスト線を拡大しかつ耐食性を得るためにフォトレジスト構造物を、第1又は第2アミンを含む化学試薬で処理し、現像時に一定の暗損傷を20〜100nmの範囲で起こさせることを特徴とするサブミクロン範囲の構造物の光構造化方法。

IPC (3件)：

G03F 7/26 ,  G03F 7/40 ,  H01L 21/027

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭61-163336
  
• 特開昭56-023744
  
• 特開昭57-173831
  
• 特開平2-309359
  
• 特開平2-308256