特許

J-GLOBAL ID：200903039311202943

絶縁ゲート型半導体装置及びその製造方法

発明者： 岡田 正剛
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-086350
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277734
出願日： 1999年03月29日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】アバランシェ耐量に優れ、かつ作動時にチャンネル領域の表面濃度が変わらない絶縁ゲート型半導体装置を提供する。【解決手段】NチャンネルパワーMOSFET20は、半導体基板1と、高濃度第1導電型半導体基体である第1エピタキシャル成長層2と、第1エピタキシャル成長層2の主表面に低濃度の第1導電型半導体を積層して形成された第2エピタキシャル成長層3と、第2エピタキシャル成長層3の一部に第2導電型半導体で形成されたPドット拡散領域4及びチャンネル領域となるPウェル5と、Pウェル5の一部に第1導電型半導体で拡散により形成されたソース6と、ソ-ス6とドレイン領域(2,3)との間の低濃度第2導電型半導体領域上に絶縁膜15を介して形成された多結晶半導体層からなるゲート電極16aとを備えた絶縁ゲート型半導体装置である。

請求項（抜粋）：

高濃度の第1導電型の半導体基体と、この基体の主表面に低濃度の第1導電型半導体を積層して形成されたドレイン領域と、ドレイン領域の一部に第2導電型半導体で形成された高濃度第2導電型半導体領域及び低濃度第2導電型半導体領域と、この低濃度第2導電型半導体領域の一部に第1導電型半導体で拡散により形成されたソース領域と、ソ-ス領域とドレイン領域との間の低濃度第2導電型半導体領域上に絶縁膜を介して形成された多結晶半導体層からなるゲート電極とを備え、ゲート電極に電圧を印加し、前記低濃度第2導電型半導体領域の表面を反転させることによってソース領域とドレイン領域との間の電流を制御する絶縁ゲート型半導体装置において、高濃度第2導電型半導体領域は、基体に埋め込まれた第2導電型の不純物がドレイン領域に拡散してなる埋め込み拡散領域であることを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 652 D ,  H01L 29/78 652 H ,  H01L 29/78 658 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置およびその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-082536   出願人：ローム株式会社
• 特開昭62-200766