特許

J-GLOBAL ID：200903039312800399

薄膜トランジスタおよびかかるトランジスタを具える電子装置

発明者： ディーン スティーヴン チャールズ ,  フレンチ イアン ダグラス
出願人/特許権者： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-532242
公開番号（公開出願番号）：特表2001-517377
出願日： 1998年12月03日
公開日（公表日）： 2001年10月02日
要約：

【要約】アクティブマトリックス表示装置等のような電子装置において、トップゲートアモルファスシリコン薄膜トランジスタ(10)を具え、このトランジスタではソースおよびドレイン電極(15、16)の一方あるいは双方ITOのような透明導電材料で造り、TFTのソースおよびドレイン電極上におよび間に延在するPECVD堆積半導体層(18)を、異なるソースガス組成物を用いて第1および第2サブ層(18A,18B)として形成する。ヘリウムのような不活性貴ガスをソースおよびドレイン電極に隣接する第1サブ層の形成時に希釈剤として用いて還元の問題を回避し、水素を第2サブ層の形成時に希釈剤として用いて完成されたトランジスタの高安定性および高移動度を得るようにする。

請求項（抜粋）：

トップゲートTFTを有する電子装置を製造するに当たり、基板上に離間され、少なくとも一方が透明導電性材料を有するソースおよびドレイン電極を形成し、前記TFTのチャネル領域を形成するために、前記ソースおよびドレイン電極上におよび間にプラズマCVD処理によりアモルファスシリコン半導体層を堆積し、且つ、この半導体層上にゲート絶縁層およびゲート電極を形成する電子装置の製造方法において、前記アモルファスシリコン半導体層は、先ず最初、不活性貴ガス希釈プラズマを用いて堆積を行い前記ソースおよびドレイン電極に隣接する第1サブ層を形成し、その後水系希釈プラズマを用いて堆積を行い、前記第1サブ層上に第2サブ層を形成し、その上にゲート絶縁体層を設けるようにしたことを特徴とする電子装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

G09F 9/30 338 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/78 618 E ,  H01L 29/78 618 A ,  G02F 1/136 500