特許

J-GLOBAL ID：200903039312861959

発光素子

発明者： 重田 淳二 ,  篠田 和典
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-058024
公開番号（公開出願番号）：特開2000-261088
出願日： 1999年03月05日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】大出力発光素子の放熱特性を改善し、出力特性を改善する。従来は表面電極は発熱部に近いが、裏面電極は基板裏面に形成されるため発熱部から遠く、放熱への寄与が少なかった。【解決手段】半導体基板1にエピタキシャル成長層2〜7を形成し、その上下に上面電極8及び裏面電極9を設けた半導体レーザにおいて、少なくとも成長層のの発熱領域10に対応する部分の裏面電極9を半導体基板1を通過して成長層2に届く位置に形成する。【効果】発熱で制限されていた最大光出力を改善出来る。また実装の容易なジャンクションアップ法でもジャンクションダウン法と同等の放熱が得られる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に成長した結晶を能動層として用いる発光素子であって、上記発光素子に給電するための表面電極及び裏面電極の2つの金属電極の裏面電極の少なくとも一部が上記能動層の発熱領域近傍の結晶の裏面ないしは内部に位置するように形成されたことを特徴とする発光素子。

Fターム (9件)：

5F073AA51 ,  5F073AA72 ,  5F073CB22 ,  5F073DA24 ,  5F073DA30 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29 ,  5F073FA11 ,  5F073FA21