特許
J-GLOBAL ID:200903039315552680
2波長反射防止膜付固体レーザ素子とこれを用いた第2高調波発生装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
松野 英彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-355112
公開番号(公開出願番号):特開平5-173216
出願日: 1991年12月19日
公開日(公表日): 1993年07月13日
要約:
【要約】【目的】 出力ビームが2つに分かれる事なく、そのエネルギーを有効に使用する事を可能にした固体レーザ素子を提供すると共に、この固体レーザ素子を用いた、第2高調波発生装置を提供する。【構成】 NdをドープしたYVO4 結晶を基板とし、該基板の上面に屈折率が1.85〜1.88であり、膜厚が0.19〜0.22μmであるHfO2 膜が蒸着され、該HfO2 膜の上面には屈折率が1.43〜1.45であり、膜厚が0.07〜0.12μmであるSiO2 膜が蒸着され、該SiO2 膜の上面には屈折率が1.85〜1.88であり、膜厚が0.10〜0.13μmであるHfO2 膜が蒸着され、該HfO2 膜の上面には屈折率が1.43〜1.45であり、膜厚が0.21〜0.26μmであるSiO2 膜が蒸着されている2波長反射防止膜付固体レーザ素子と、この2波長反射防止膜付固体レーザ素子を用いた第2高調波発生装置。
請求項(抜粋):
基本波の波長を1.064μmとし、第2高調波の波長を0.532μmとする2波長反射防止膜付固体レーザ素子であって、NdをドープしたYVO4 結晶を基板とし、該基板の上面に屈折率が1.85〜1.88であり、膜厚が0.19〜0.22μmであるHfO2 膜が蒸着され、該HfO2 膜の上面には屈折率が1.43〜1.45であり、膜厚が0.07〜0.12μmであるSiO2 膜が蒸着され、該SiO2 膜の上面には屈折率が1.85〜1.88であり、膜厚が0.10〜0.13μmであるHfO2 膜が蒸着され、該HfO2 膜の上面には屈折率が1.43〜1.45であり、膜厚が0.21〜0.26μmであるSiO2 膜が蒸着されている事を特徴とする2波長反射防止膜付固体レーザ素子。
IPC (2件):
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