特許

J-GLOBAL ID：200903039316110826

ドレッサおよび研磨装置ならびに半導体ウエハの研磨方法

発明者： 小池 栄二郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-189513
公開番号（公開出願番号）：特開2003-001562
出願日： 2001年06月22日
公開日（公表日）： 2003年01月08日
要約：

【要約】【課題】 長寿命で安定したドレッシングを行うことのできるドレッサと、それを用いた研磨装置およびそれにより研磨された半導体ウエハを提供すること。【解決手段】 ドレッサの研削層16を複層の電着層18a、18bにそれぞれ砥粒層19a、19bで形成し、各砥粒層19a、19bは、最上層の電着層18bからの突出量が異なるように形成する。

請求項（抜粋）：

複数の砥粒が所定量突出する第1砥粒層と、該第1砥粒層より突出量が大きい第2砥粒層を少なくとも有することを特徴とするドレッサ。

IPC (5件)：

B24B 53/12 ,  B24B 37/00 ,  B24D 3/00 310 ,  B24D 3/00 320 ,  H01L 21/304 622

FI (5件)：

B24B 53/12 Z ,  B24B 37/00 A ,  B24D 3/00 310 E ,  B24D 3/00 320 B ,  H01L 21/304 622 M

Fターム (17件)：

3C047EE02 ,  3C047EE11 ,  3C058AA07 ,  3C058AA19 ,  3C058CA01 ,  3C058CB01 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17 ,  3C063AA02 ,  3C063AB05 ,  3C063BA34 ,  3C063BB02 ,  3C063BC02 ,  3C063CC12 ,  3C063EE10 ,  3C063EE26 ,  3C063FF23