特許

J-GLOBAL ID：200903039316821145

薄膜トランジスタおよびその製法

発明者： 北角 英人
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 友松 英爾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-199952
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021343
出願日： 1991年07月15日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 本発明は、レーザ光のビーム中心を適切な位置に照射できるようにし、半導体層の中心部温度を端部より低くすることにより、大粒径の結晶成長を可能にした薄膜トランジスタの半導体層再結晶化法の提供を目的とする。【構成】 本発明は、絶縁基板上に設けたヒートシンク層およびヒートシンク層をパターニングして形成させたエネルギービーム位置合わせ用のアライメントマークを利用することよりなる薄膜トランジスタの半導体層の再結晶化法。

請求項（抜粋）：

ヒートシンク層を有する薄膜トランジスタにおいて、ヒートシンク層がアライメントマークを兼用することを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/208 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784