特許
J-GLOBAL ID：200903039317991168
化学的機械研磨方法及び化学的機械研磨装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-006879
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203861
出願日： 1995年01月20日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：
【要約】【目的】 平坦な研磨面を得ることができる化学的機械研磨方法及び化学的機械研磨装置を提供する。【構成】 ウエハ10の研磨面10aとこれに対向する状態で配置される研磨クロス11のクロス面11aとの間の研磨領域15に反応イオン種13と研磨砥粒14とを含む研磨液12を供給しながら、研磨面10aに対してクロス面11aを平行に移動させて研磨面10aを研磨する際、研磨領域15に電界16を形成する。電界16は、研磨面10a側からクロス面11a側に向かう電気力線16aを研磨面10aの中心付近で密度が高くなるように配置した構成にする。これによって、研磨の際に反応イオン種13が供給され難い研磨面10aの中央付近に反応イオン種13が集められ、研磨の際にウエハ10の研磨面10aにおける反応イオン種13の濃度分布が均一化される。
請求項（抜粋）：
ウエハの研磨面と当該研磨面と対向する状態で配置される研磨クロスのクロス面との間の研磨領域に反応イオン種と研磨砥粒とを含む研磨液を供給しながら、前記研磨面に対して前記クロス面を平行に移動させて当該研磨面を研磨する化学的機械的研磨方法において、前記研磨領域における前記研磨液中の反応イオン種の濃度分布を当該研磨領域に電界を形成することによって制御しながら、当該ウエハの研磨面を研磨することを特徴とする化学的機械研磨方法。
IPC (2件)：
H01L 21/306
, H01L 21/304 341
