特許
J-GLOBAL ID:200903039318199360

プラズマCVD装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 本田 ▲龍▼雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-031585
公開番号(公開出願番号):特開2008-196001
出願日: 2007年02月13日
公開日(公表日): 2008年08月28日
要約:
【課題】皮膜フレークの発生や皮膜品質の安定性に悪影響を及ぼす、真空チャンバー内部への皮膜堆積を抑制することができるプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】巻き掛けられた基材Sが対向するように平行に対向して配置された一対の成膜ロール2,3と、前記各成膜ロール2,3の内部に設けられ、前記成膜ロールの間の対向空間5に面したロール表面付近にプラズマを収束させるように磁場を発生させる磁場発生部材12,13と、一方の電極と他方の電極とが交互に極性が反転するプラズマ電源14と、前記対向空間5に成膜ガスを供給するガス供給管8及び前記対向空間を真空排気する真空排気手段を有する。前記プラズマ電源14は、その一方の電極が一方の成膜ロール2に接続され、他方の電極が他方の成膜ロール3に接続される。【選択図】図2
請求項(抜粋):
真空チャンバー内で基材を連続的に搬送しながら当該基材の表面に皮膜を形成するプラズマCVD装置であって、 巻き掛けられた基材が対向するように平行ないしほぼ平行に対向して配置された一対の成膜ロールと、 前記各成膜ロールの内部に設けられ、前記成膜ロールの間の対向空間に面したロール表面付近に膨らんだ磁場を発生させる磁場発生部材と、 一方の電極と他方の電極とが交互に極性が反転するプラズマ電源と、 前記対向空間に成膜ガスを供給するガス供給手段及び前記対向空間を真空排気する真空排気手段を有し、 前記プラズマ電源は、その一方の電極が一方の成膜ロールに接続され、他方の電極が他方の成膜ロールに接続された、プラズマCVD装置。
IPC (3件):
C23C 16/54 ,  C23C 16/50 ,  H05H 1/46
FI (3件):
C23C16/54 ,  C23C16/50 ,  H05H1/46 M
Fターム (11件):
4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030BA44 ,  4K030CA07 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030GA04 ,  4K030GA14 ,  4K030JA09 ,  4K030KA34 ,  4K030LA18
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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