特許
J-GLOBAL ID：200903039318362539

半導体装置の製造方法、電子デバイスの製造方法、電子デバイス、及び表示装置

発明者：
佐藤 充

佐藤 充 について

, 
湯田坂 一夫

湯田坂 一夫 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 西 和哉 ,  志賀 正武 ,  青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-237563
公開番号（公開出願番号）：特開2005-101558
出願日： 2004年08月17日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：
【課題】 絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して第1導電膜に対して第2導電膜を電気的に確実にする接続することができ、第2導電膜の形成に要する液体材料の使用効率を飛躍的に向上してコストダウンを図れる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の製造方法は、第1導電膜上に前記絶縁膜を形成するとともに該絶縁膜を貫通するコンタクトホールを形成する絶縁膜形成工程ST0と、前記コンタクトホールを含む前記絶縁膜上の領域にて開口したマスク材を形成するマスク材形成工程ST1と、前記マスク材の開口を介してコンタクトホールを含む絶縁膜上の領域に選択的に液体材料を配する液体材料配置工程ST2と、前記液体材料を乾燥固化することで、一部を前記コンタクトホール内に埋設された前記第2導電膜を形成する乾燥工程ST3と、マスク材除去工程ST4とを有している。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
絶縁膜を介して設けられる第1導電膜と第2導電膜とを電気的に接続してなる導電接続構造を具備した半導体装置の製造方法であって、 前記第1導電膜上に前記絶縁膜を形成するとともに、当該絶縁膜を貫通して前記第1導電膜に達するコンタクトホールを形成する絶縁膜形成工程と、 前記コンタクトホールを含む前記絶縁膜上の領域にて開口したマスク材を形成するマスク材形成工程と、 前記マスク材の開口を介して、前記コンタクトホールを含む絶縁膜上の領域に選択的に液体材料を配する液体材料配置工程と、 前記液体材料を乾燥固化することで、一部を前記コンタクトホール内に埋設された前記第2導電膜を形成する乾燥工程と を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (8件)：
H01L21/768 ,  G02F1/1368 ,  G03F7/40 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H05B33/14
FI (9件)：
H01L21/90 A ,  G02F1/1368 ,  G03F7/40 521 ,  H01L21/02 Z ,  H05B33/14 A ,  H01L29/78 627C ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 619A ,  H01L21/30 570
Fターム (99件)：
2H092GA29 ,  2H092HA02 ,  2H092HA04 ,  2H092JA24 ,  2H092JA26 ,  2H092JA46 ,  2H092JB01 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092MA10 ,  2H092NA27 ,  2H096AA25 ,  2H096HA30 ,  2H096JA04 ,  3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007FA02 ,  3K007GA00 ,  5F033GG00 ,  5F033GG03 ,  5F033GG04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH17 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ38 ,  5F033KK01 ,  5F033PP15 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ41 ,  5F033QQ42 ,  5F033QQ54 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ85 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR22 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS22 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033XX34 ,  5F046LA18 ,  5F110AA16 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110EE38 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF27 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG32 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110GG52 ,  5F110GG57 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL01 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL14 ,  5F110NN03 ,  5F110NN05 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN33 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM