特許
J-GLOBAL ID：200903039320451344
半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-341970
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189527
出願日： 1996年12月20日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】ウェハの表面を洗浄する工程を含む半導体装置の製造方法に関し、薬液処理を終えたウェハ表面へのパーティクルの付着を低減するとともに、枚葉式にあってはパーティクルの他にウォータマークや残渣を無くすこと。【解決手段】半導体ウェハWを液槽1内の薬液に浸す工程と、前記半導体ウェハWを前記薬液から引き上げる工程と、前記液槽1内の液を前記薬液から水に交換する工程と、前記水に前記半導体ウェハWを浸す工程と、前記半導体ウェハWを前記水から引き上げて第1の雰囲気に晒した後に再び前記水に戻す工程と、前記半導体ウェハWを前記水から引き上げてアルコールを含む第2の雰囲気に晒して前記半導体ウェハW表面を乾燥させる工程とを有することを含む。
請求項（抜粋）：
半導体ウェハを液槽内の薬液に浸す工程と、前記半導体ウェハを前記薬液から引き上げる工程と、前記液槽内の液を前記薬液から水に交換する工程と、前記水に前記半導体ウェハを浸す工程と、前記半導体ウェハを前記水から引き上げて第1の雰囲気に晒した後に再び前記水に戻す工程と、前記半導体ウェハを前記水から引き上げてアルコールを含む第2の雰囲気に晒して前記半導体ウェハ表面を乾燥する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 351
, H01L 21/68
H01L 21/304 351 C
, H01L 21/68 A
