特許

J-GLOBAL ID：200903039321823040

半導体レーザ装置

発明者： 廣中 美佐夫 ,  太田 洋一郎
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-166621
公開番号（公開出願番号）：特開平7-154031
出願日： 1993年07月06日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：

【要約】【目的】 高温動作電流を小さくし、高信頼性を有し、低消費電力が得られる半導体レーザ装置を提供する。【構成】 活性層3上に配置される上クラッド層を、1×1018〜1×1020cm-3の高いキャリア濃度、及び0.01〜0.10μmの薄い厚さtA をもつ第1の上クラッド層4と、1×1015〜1×1017cm-3の低いキャリア濃度と、0.3μmの厚みtB を持つ第2の上クラッド層20との2層から構成した。【効果】 活性層3近傍の第1上クラッド層4のキャリア濃度が高いため、高温時の少数キャリアのオーバーフローが小さく、かつ該層4の層厚が薄いため、リーク電流も小さい。また、トータルの上クラッド層厚(tA +tB )が厚いため、吸収損失が小さく、高温動作電流値を小さくできる。

請求項（抜粋）：

第1の導電型を有するGaAs基板と、該GaAs基板上に順次エピタキシャル成長された,第1の導電型のAlxGa1-xAs下クラッド層,AlyGa1-yAs活性層,及び第2の導電型のAlzGa1-zAs上クラッド層からなるダブルヘテロ接合構造と、該ダブルヘテロ接合構造に集中的に電流を注入できるよう、ストライプ状のリッジ部以外の上記上クラッド層上に形成された,第1の導電型のGaAs電流ブロック層とを備えた半導体レーザ装置において、上記上クラッド層は、上記活性層上に該活性層に接して配置され、該活性層からの少数キャリアのオーバーフローを防止する,高いキャリア濃度、及び横方向のリーク電流の小さい,薄い厚さを持つ第1の上クラッド層と、該第1のクラッド層上に形成された、低いキャリア濃度を有する第2の上クラッド層との,2つのキャリア濃度の異なる層からなるものであることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00