特許
J-GLOBAL ID：200903039324875220
成膜装置及び成膜方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-002354
公開番号（公開出願番号）：特開平10-195651
出願日： 1997年01月09日
公開日（公表日）： 1998年07月28日
要約：
【要約】【課題】 車両用ヘッドランプの反射鏡となるワークWの内側表面にスパッタリングによりアルミニウム膜を、次いでその上にグロー放電によるプラズマ重合により保護膜を成膜する場合、電極構成を簡単にして成膜装置の規模を小さくしながら効率よく成膜する。【解決手段】 真空槽1内のチャンバ2にArガスを供給しつつ、マグネトロン電極30の電磁石31に電流を流しかつ電極30に直流電圧を印加して、電極30のターゲット部30aをスパッタリングしてワークW内側表面にアルミニウム膜を成膜し、その後、Arガスの供給、電磁石31及び電極30への電力印加を停止し、真空槽1内にモノマーガスを供給しつつ、同じ電極30に高周波電力を印加して電極30及び真空槽1間で高周波グロー放電を発生させ、モノマーを分解重合させてアルミニウム膜上に保護膜を成膜する。スパッタターゲットとなる電極30をプラズマ重合用の放電電極として共用する。
請求項（抜粋）：
真空槽内でワーク表面に金属膜及び保護膜を成膜するようにした成膜装置であって、真空槽内に配設され、少なくとも一部が、上記金属膜材料からなるターゲット部とされた電極と、上記電極に直流電圧を印加する直流電源と、真空槽内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、上記電極に高周波電力を印加する高周波電源と、真空槽内に上記保護膜材料となる反応ガスを供給する反応ガス供給手段とを備え、上記不活性ガス供給手段により真空槽内に不活性ガスを供給した状態で、直流電源により直流電圧を電極に印加することにより、該電極のターゲット部をスパッタリングしてワーク表面に金属膜を成膜する一方、上記不活性ガス供給手段による不活性ガスの供給及び直流電源による直流電圧の印加を停止し、かつ上記反応ガス供給手段により真空槽内に反応ガスを供給した状態で、高周波電源により上記電極に高周波電力を印加することにより、電極から放電を発生させ、上記反応ガスをプラズマ状態で反応させてワーク表面に保護膜を成膜するように構成されていることを特徴とする成膜装置。
IPC (7件)：
C23C 14/38
, C08F 2/00
, C08F 2/52
, C08G 77/14
, C23C 14/06
, C23C 14/14
, C23C 14/56
C23C 14/38
, C08F 2/00 H
, C08F 2/52
, C08G 77/14
, C23C 14/06 N
, C23C 14/14 B
, C23C 14/56 E
