特許

J-GLOBAL ID：200903039328422351

絶縁膜形成方法およびこの絶縁膜を用いた不揮発性半導体装置

発明者： 福田 永 ,  安田 真
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-050018
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251428
出願日： 1992年03月06日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：

【要約】【目的】 絶縁膜の膜厚を薄くしても信頼性の高い優れた絶縁膜の成形方法を提供する。【構成】 シリコン下地上に絶縁膜を形成する方法として、高真空に加熱炉内を排気した後、O2 ガス雰囲気中で、加熱温度1000°Cに上昇させて第一の酸化膜を形成させる。その後真空状態を大気圧まで降圧させ、加熱温度1000°Cに保持させたままN2 Oガスの雰囲気中で第2の酸化膜を形成させる。その後圧力を大気圧にまで降圧させ、また加熱温度を室温まで下げてN2 ガス雰囲気中で保持した後、基板を反応炉から取り出す。このようにして形成された酸窒化SiO2 膜はEEPROMなどのトンネル酸化膜として極薄い膜厚にもかかわらず高品質の電気特性を提供できる。

請求項（抜粋）：

反応炉内でシリコンの下地に対して、絶縁膜形成用ガス雰囲気のなかで加熱処理を行ない、該下地に絶縁膜を形成するに当たり、(a)前記加熱を赤外線照射による加熱とし、(b)その処理中の前半段階で窒素非含有酸化性ガスの雰囲気中で前記下地の表面の酸化を行なって第1絶縁膜である酸化膜を形成する工程と、(c)前記加熱処理中の後半段階で前記窒素非含有の酸化性ガス雰囲気を窒素含有酸化性ガスの雰囲気に切り替えて、この後者の酸化性ガス雰囲気中で前記第1絶縁膜を酸窒化して、これを第2絶縁膜に変える工程とを含むことを特徴とする絶縁膜形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-160720
  
• 特開平3-257828
  
• 特開平1-095005