特許

J-GLOBAL ID：200903039332619267

薄膜の製造方法

発明者： 石川 准子 ,  北折 典之 ,  吉田 修 ,  佐々木 克己
出願人/特許権者： 花王株式会社
代理人 (1件)： 古谷 馨 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-202299
公開番号（公開出願番号）：特開平9-052707
出願日： 1995年08月08日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：

【要約】【課題】 薄膜上に所望の化合物の層を形成する際に、前記化合物の均一性と結着性をより向上させる。【解決手段】 ECR プラズマCVD 法等により基材上に形成された不飽和結合を有するダイヤモンドライクカーボン薄膜等の不飽和結合を有する炭素膜上に、該不飽和結合と反応可能な官能基を有する化合物を塗布した後、紫外光を照射して両者を反応させて、前記膜と前記化合物とを結合させる。

請求項（抜粋）：

不飽和結合を有する炭素膜に、前記不飽和結合と反応可能な官能基を有する化合物を塗布した後、該塗布面に紫外光を照射することにより、前記化合物を前記炭素膜に結合させて薄膜を形成することを特徴とする薄膜の製造方法。

IPC (4件)：

C01B 31/02 101 ,  C30B 29/04 ,  G11B 5/72 ,  G11B 5/84

FI (4件)：

C01B 31/02 101 Z ,  C30B 29/04 Z ,  G11B 5/72 ,  G11B 5/84 B