特許
J-GLOBAL ID：200903039338603192
ビニル基を有する光学活性ホスフィン誘導体、それをモノマーとするポリマー、及びそれらの遷移金属錯体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 一雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-072838
公開番号（公開出願番号）：特開平10-251283
出願日： 1997年03月11日
公開日（公表日）： 1998年09月22日
要約：
【要約】【課題】 不斉合成反応の触媒として、触媒活性、不斉収率などの点で満足する結果を示す新規な高分子担持配位子を提供する。【解決手段】 本発明は、下記一般式(I)【化1】(式中、Arは置換基を有していてもよいフェニル基、ナフチル基であり;R1, R2は互いに独立して、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、等であり;R3は、低級アルキル基、低級アルコキシ基、等であるか;あるいはR2とR3が一緒になって炭化水素環を形成していてもよく;炭化水素環には、置換基として、低級アルキル基、ハロゲン原子、ビニル基、等を有していてもよい。)で表される6-ビニル-2'-ジアリールホスフィノ-1,1'-ビナフタレン- 2-イルオキシ(ビフェニレン-2,2'-ジイルオキシ)ホスフィン誘導体、そのホスフィン誘導体を構造単位とするポリマー、及び、これらに、遷移金属化合物を作用させることにより得られる遷移金属錯体である。
請求項（抜粋）：
下記一般式(I)【化1】(式中、Arは置換基を有していても良いフェニル基、置換基を有していても良いナフチル基であり;R1, R2は互いに独立して、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化置換低級アルキル基又はベンジルオキシ基であり;R3は、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化置換低級アルキル基又はベンジルオキシ基であるか;あるいはR2とR3が一緒になって炭化水素環を形成していても良く;炭化水素環には、置換基として、低級アルキル基、ハロゲン原子、低級アルコキシ基、ハロゲン化低級アルキル基、ベンジルオキシ基、ビニル基を有していても良い。)で表される6-ビニル-2'-ジアリールホスフィノ-1,1'-ビナフタレン-2- イルオキシ(1,1'- ビフェニレン-2,2'-ジイルオキシ)ホスフィン誘導体。
IPC (6件)：
C07F 9/6574
, B01J 31/24
, C07F 15/00
, C08F 12/32
, C08F212:04
, C08F212:36
C07F 9/6574 Z
, B01J 31/24 Z
, C07F 15/00 B
, C07F 15/00 E
, C07F 15/00 F
, C08F 12/32
