特許

J-GLOBAL ID：200903039342041360

露光マスクおよび半導体装置の製造方法

発明者： 伊藤 和典 ,  村上 明繁 ,  入野田 貢
出願人/特許権者： 株式会社リコー
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-262467
公開番号（公開出願番号）：特開平9-080740
出願日： 1995年09月14日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】 溝配線用の溝部を1回のリソグラフィと1回のドライエッチングで形成することができる露光マスク、およびこの露光マスクを使用する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 露光マスクの作製では、マスク基板1の片面側に酸化クロムからなる半透過膜2を成膜後、この半透過膜上に金属クロムからなる遮光膜3を形成してブランクマスクとする。このブランクマスクにおける、層間絶縁膜の溝配線に対応する部分の遮光膜をドライエッチングで除去することにより半透過膜を露出させた後、この半透過膜露出部分の一部をエッチングで除去する。これにより、マスク基板のみからなる全透過部1aと、その外側にマスク基板と半透過膜が重なり合った半透過部2aと、更にその外側にマスク基板と半透過膜と遮光膜とが重なり合った遮光部3aとを形成する。この露光マスクを用いるレジストのリソグラフィ工程および、このレジスト上から行う異方性エッチング工程を経た後、溝配線を行って半導体装置を作製する。

請求項（抜粋）：

マスク基板上に半透過膜と遮光膜を形成してなり、リソグラフィの際、一度に2段階の露光量が得られるマスクであって、半透過膜、遮光膜の双方を除去した部分が、半透過膜で囲まれていることを特徴とする露光マスク。

IPC (5件)：

G03F 1/08 ,  G03F 1/16 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/768

FI (5件)：

G03F 1/08 A ,  G03F 1/16 A ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/302 H ,  H01L 21/90 C