特許

J-GLOBAL ID：200903039342343430

半導体高周波スイッチ回路

発明者： 皆川 晃 ,  今井 伸明
出願人/特許権者： 株式会社エイ・ティ・アール光電波通信研究所
代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-198368
公開番号（公開出願番号）：特開平8-065003
出願日： 1994年08月23日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：

【要約】【目的】 従来例に比較してより大きなオン時とオフ時の通過損失比を得ることができ、しかも回路構成が簡単である半導体高周波スイッチ回路を提供する。【構成】 一方の電極が入力端子1に接続されたFET6の他方の電極と、一方の電極が出力端子2に接続されたFET7の他方の電極と、一方の電極が接地されたFET8の他方の電極とを接続し、FET6とFET7とFET8の各ゲートが制御端子に接続されてなるスイッチ回路において、入力端子1と出力端子2との間に、それぞれ1/4波長の線路長を有し互いに直列に接続された2つの伝送線路12,13を接続し、伝送線路12と伝送線路13との接続点と接地点との間に、1/4波長の線路長を有する伝送線路14を接続し、入力端子1と接地点との間に、1/16波長の線路長を有する伝送線路15を接続し、出力端子2と接地点との間に、1/16波長の線路長を有する伝送線路16を接続した。

請求項（抜粋）：

一方の電極が入力端子に接続された第1の電界効果トランジスタの他方の電極と、一方の電極が出力端子に接続された第2の電界効果トランジスタの他方の電極と、一方の電極が接地された第3の電界効果トランジスタの他方の電極とを接続し、上記第1の電界効果トランジスタと上記第2の電界効果トランジスタと上記第3の電界効果トランジスタの各ゲートが制御端子に接続されてなる半導体高周波スイッチ回路において、上記入力端子と上記出力端子との間に、それぞれ概略1/4波長の線路長を有し互いに直列に接続された第1及び第2の伝送線路を接続し、上記第1の伝送線路と上記第2の伝送線路との接続点と接地点との間に、概略1/4波長の線路長を有する第3の伝送線路を接続し、上記入力端子と接地点との間に、概略1/16波長の線路長を有する第4の伝送線路を接続し、上記出力端子と接地点との間に、概略1/16波長の線路長を有する第5の伝送線路を接続して構成したことを特徴とする半導体高周波スイッチ回路。